Technologia GaN to dla wielu branż wciąż nowe rozwiązanie
Aby technologia GaN stała się powszechna na wielu rynkach aplikacyjnych, wydajność i niezawodność – chociaż nieodzowne – stanowią jedynie punkt wyjścia.
Niska rezystancja właściwa RDS(on)
Kluczowym parametrem określającym wydajność urządzenia jest współczynnik właściwy RDS(on), czyli rezystancja włączenia na jednostkę powierzchni. Im niższy jest współczynnik właściwy RDS(on), tym mniejsze urządzenie można zbudować, co umożliwia umieszczenie większej liczby urządzeń na płytce i obniżenie kosztów urządzeń.
Innoscience opracowała opatentowaną technologię warstwy wzmocnienia odkształcenia, która polega na osadzaniu warstwy właściwej po zdefiniowaniu zestawu bramek. Modulacja naprężeń wytworzona przez warstwę wzmocnienia odkształcenia indukuje dodatkowe polaryzacje piezoelektryczne, co powoduje wzrost gęstości 2DEG i zmniejszenie oporności o 66%. Ponieważ warstwa wzmocnienia odkształcenia jest osadzana po uformowaniu bramki, wpływa ona tylko na rezystancję w obszarze dostępu, a nie ma wpływu na inne parametry urządzenia, takie jak próg, upływność itp.
Objaśnienia
Rysunek 2: Firma Innoscience opracowała technologię warstwy wzmocnienia odkształcenia, dzięki której uzyskuje się niskie wartości RDS(on)