Najgęstsze, 176-warstwowe pamięci NAND od Micron

Firma Micron Technology Inc rozpoczęła dostawy najnowocześniejszych kości pamięci 3D NAND Flash, stanowiącej pierwszy na świecie układ o 176 warstwach. Dzięki nowoczesnej i pionierskiej architekturze, jest to tym samym komponent o największej gęstości, jak i wydajności wśród innych pamięci tego typu dostępnych na rynku. Jak podaje producent ma stanowić przełom w wielu różnorodnych aplikacjach, umożliwiając ogromny wzrost wydajności.

Jak mówi Scott DeBoer, wiceprezes ds technologii w Micron: '176-warstwowa pamięć NAND firmy Micron podnosi poprzeczkę w branży. Liczba warstw jest o 40% większa od najbliższego konkurenta w tej kategorii. […] Co więcej, w połączeniu z architekturą Micron CMOS, znajdującą się pod macierzą, technologia ta umiejscawia Micron na wiodącej pozycji w branży pod względem kosztów'.

Reprezentując piątą generację pamięci NAND 3D firmy Micron i architekturę bramek zastępczych

drugiej generacji, nowa 176-warstwowa pamięć NAND jest najbardziej zaawansowanym technologicznie komponentem pamięciowym na rynku. W kwestii wydajności, to jak podaje producent, największym czynnikiem wpływającym na wydajność jest znaczna redukcja opóźnień, która wynosi ponad 35%, zarówno dla odczytu, jak i zapisu. Sama matryca jest zaś mniejsza o 30%, od najlepszych rozwiązań konkurencyjnych. Tym samym komponenty te wpasują się idealnie tam, gdzie liczy się konieczność zachowania jak najmniejszych gabarytów.

Ogromna moc flash o szerokim zastosowaniu

Dzięki swojej wszechstronnej konstrukcji i niezrównanej gęstości 176-warstwowa pamięć NAND firmy Micron odnajdzie się zarówno w aplikacjach mobilnych, systemach autonomicznych, systemach informacyjno-rozrywkowych, jak również w centrach danych, czy w zastosowaniach konsumenckich, np. jako podzespół pamięci SSD.

Nowa pamięć Micron oferować ma lepszą jakość usług (QoS). Wspomoże to tworzenie jeszcze potężniejszych dysków SSD dla profesjonalnych zastosowań w centrach danych, wspomagając systemy pracujące pod ogromnym obciążeniem, jak np. wielkie bazy danych, systemy AI, czy systemy analityczne pracujące na ogromnych zbiorach danych.

W przypadku smartfonów, lepsze QoS może wspomóc szybsze uruchamianie aplikacji i przełączanie się między nimi, zapewniając lepsze wrażenia z użytkowania (płynne, bardziej responsywne działanie), jak również wspomoże w pełni korzystać z dobrodziejstw sieci 5G.

Piąta generacja pamięci NAND od Micron to też najwyższa w branży maksymalna prędkość przesyłania danych, wynosząca 1600 MT/s, wykorzystując magistralę Open NAND Flash Interface (ONFI). Oznacza to poprawę o 33% w stosunku do poprzedniej generacji. To przekłada się na wspomniane szybsze uruchamianie aplikacji, jak również całego systemu. Zwiększona szybkość reakcji może być też szczególnie istotna w przypadku aplikacji motoryzacyjnych.

Aby uprościć tworzenie oprogramowania sprzętowego, 176-warstwowa pamięć NAND firmy Micron oferuje algorytm programowania jednoprzebiegowego, umożliwiając łatwiejszą integrację i sprawniejsze wprowadzenie produktu na rynek.

Nowatorska architektura, to przełomowa gęstość i oszczędności kosztów

Mówi się, że prawo Moore’a spowolniło. Jednak zapotrzebowanie związane z przechowywaniem i przetwarzaniem danych, nadal rośnie. Micron w unikalny sposób połączył swoją architekturę piętrowej bramki zastępczej z nowatorską pułapką ładunkową i technologią CMOS-under-array (CuA). Kluczową okazała się tu ostatnia ze wspomnianych technologii – CuA – która tworzy wielowarstwowy stos w układzie logicznym chipa – pakując więcej pamięci w ciaśniejszą przestrzeń i znacznie zmniejszając rozmiar matrycy 176-warstwowej pamięci NAND, uzyskując więcej gigabajtów w matrycy.

Jednocześnie Micron poprawił skalowalność i wydajność przyszłych generacji pamięci NAND, przenosząc technologię komórkową NAND ze starej bramki pływającej na pułapkę ładunku. Tą technologię połączono dalej z architekturą bramki zastępczej firmy Micron. Wykorzystuje ona dedykowane metalowe linie przewodzące, zamiast krzemu, zwiększając znacząco wydajność 3D NAND. Pozwoli to też na znaczną redukcję kosztów, wybijając się tu na tle konkurencji.

Stosując te techniki i technologie, Micron uzyskał poprawę wytrzymałości pamięci, szczególnie przy intensywnym zapisie. Umożliwia to zastosowanie tych pamięci w systemach o krytycznym znaczeniu, jak np. czarne skrzynki, czy choćby nagrania monitoringu. Producent obiecuje, że wytrzymałość przy obciążeniu mieszanym została zwiększona o 15%.