75,8 mln PLN z KPO dla Centrum „GaN-Unipress”
Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” otrzymało 75,8 mln PLN dofinansowania z Krajowego Planu Odbudowy. Środki zostaną przeznaczone na rozbudowę infrastruktury badawczej umożliwiającej rozwój zaawansowanych technologii opartych na azotku galu (GaN), wykorzystywanych m.in. w elektronice mocy, telekomunikacji i energetyce.
Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” uzyskało 75,8 mln PLN wsparcia z Krajowego Planu Odbudowy i Zwiększania Odporności w ramach działania A2.4.1 „Inwestycje w rozbudowę potencjału badawczego”. Całkowity koszt kwalifikowalny przedsięwzięcia wynosi 89,1 mln PLN.
Pozyskane środki pozwolą na stworzenie nowoczesnej infrastruktury badawczej przeznaczonej do produkcji struktur kwantowych wykorzystywanych w urządzeniach elektronicznych dużej mocy i wysokiej częstotliwości. Powstające rozwiązania będą bazować na półprzewodnikach azotkowych oraz 4-calowych podłożach z azotku galu (GaN).
Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress”, założone zostało przez prof. dr hab. Izabellę Grzegory, członkinię korespondentkę PAN.
„Realizacja projektu wzmocni potencjał badawczy i technologiczny Polski w obszarze zaawansowanych półprzewodników. Ma to szczególne znaczenie w kontekście rosnącego zapotrzebowania na nowoczesne komponenty wykorzystywane m.in. w energetyce, telekomunikacji i elektronice”.
Warto podkreślić, że Instytut Wysokich Ciśnień PAN jest jedynym producentem podłoży z azotku galu w Europie.
Zapraszamy na TEK.day Gdańsk, 24 września 2026. Zapisz się tutaj!
