Inwestycja przyszłości: 50 mln EUR na polski projekt nowoczesnych półprzewodników w ramach Chips Act
Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki wraz z Instytutem Wysokich Ciśnień PAN przystępują do realizacji projektu budowy nowoczesnej linii pilotażowej półprzewodników szerokoprzerwowych w ramach inicjatywy Chips Act. Projekt, wspierany kwotą 50 mln EUR, ma na celu rozwój zaawansowanych technologii półprzewodnikowych kluczowych dla sektorów takich jak przemysł, motoryzacja i obronność.
W odpowiedzi na rosnące zapotrzebowanie na nowoczesne technologie półprzewodnikowe, Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz – IMiF) wraz z Instytutem Wysokich Ciśnień PAN (IWC PAN), przystępuje do realizacji ambitnego projektu budowy nowoczesnej linii pilotażowej półprzewodników szerokoprzerwowych. Projekt ten, wspierany finansowo kwotą 50 mln EUR, rozpocznie się na początku 2025 roku i jest częścią szerszej inicjatywy Chips Act, finansowanej przez Unię Europejską oraz państwa członkowskie.
Międzynarodowe konsorcjum wspiera rozwój technologii
W ramach projektu uruchomiona zostanie linia pilotażowa WBG (Wide Band Gap semiconductors), która jest jedną z czterech takich inicjatyw w Europie. W skład międzynarodowego konsorcjum wchodzi 22 jednostki naukowo-badawcze oraz uczelnie wyższe z różnych krajów europejskich, w tym z Włoch, Szwecji, Finlandii, Austrii, Niemiec, Francji i Polski. Współpraca ma na celu rozwój i implementację nowych technologii półprzewodnikowych, które będą miały zastosowanie w przemyśle, motoryzacji, energetyce odnawialnej, elektronice użytkowej oraz obronności.
Znaczenie nowej linii pilotażowej
Nowa linia pilotażowa skupi się na rozwoju innowacyjnych technologii materiałowych i przyrządowych wykorzystujących półprzewodniki szerokoprzerwowe, takie jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) oraz tlenek galu (Ga2O3). Polskie jednostki naukowo-badawcze, Łukasiewicz — IMiF oraz IWC PAN, będą odpowiedzialne za rozwój technik wzrostu podłoży i warstw epitaksjalnych GaN oraz technologii wytwarzania przyrządów na bazie GaN i Ga2O3.
Projekt przewiduje również rozszerzenie potencjału Laboratorium Technologii Przyrządów z GaN, czujników i materiałów porowatych. Placówka zostanie wyposażona między innymi w nowoczesne reaktory do trawienia plazmowego i osadzania cienkich warstw z fazy gazowej technikami PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) oraz ALD (Atomic Layer Deposition), która umożliwia kontrolę grubości warstwy na poziomie atomowym.
Perspektywy i znaczenie dla Europy
Projekt Linii Pilotażowej w ramach Chips Act otwiera nowe perspektywy dla rozwoju zaawansowanych technologii półprzewodnikowych zarówno w Polsce, jak i w Europie. Dzięki zaangażowaniu krajowych jednostek naukowych i międzynarodowej współpracy ma on szansę znacząco przyczynić się do rozwoju technologicznego i naukowego w obszarze zaawansowanych półprzewodników.
Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki z ponad 50-letnią historią prowadzi wysoce zaawansowane badania w dziedzinie zarówno mikroelektroniki jak i fotoniki, uznawanej za technologię XXI wieku. Jego naukowcy intensywnie pracują nad rozwojem wielu technologii i przyrządów fotonicznych m.in. technologii wytwarzania źródeł światła na bazie GaN czy wysokowydajnych źródeł podczerwieni dla telekomunikacji, medycyny, technik sensorowych czy detekcji gazów.
Zapraszamy na TEK.day Gdańsk, 26 września 2024. Zapisz się już dziś!
