STMicroelectronics: 5 mld EUR na fabrykę chipów na Sycylii
W odpowiedzi na rosnące zapotrzebowanie na półprzewodniki oraz dążenie do uniezależnienia technologicznego Europy STMicroelectronics ogłosił plany budowy zaawansowanej fabryki chipów w Katanii na Sycylii. Inwestycja o wartości 5 mld EUR, wspierana kwotą 2 mld EUR przez rząd Włoch, staje się kamieniem milowym w realizacji Europejskiej Ustawy o Chipach, która weszła w życie we wrześniu 2023 roku.
Nowy zakład produkcyjny o nazwie Silicon Carbide Campus ma zostać otwarty w 2026 roku, a pełne moce produkcyjne osiągnie do 2033 roku. Inwestycja ma na celu stworzenie pierwszej w Europie, w pełni zintegrowanej fabryki do masowej produkcji półprzewodników SiC dla urządzeń i modułów mocy, które znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemyśle motoryzacyjnym, przyczyniając się do wzrostu efektywności energetycznej elektrycznych pojazdów.
Wpływ na przemysł europejski
Fabryka w Katanii będzie mieć znaczący wpływ na przemysł europejski, nie tylko przez zwiększenie niezależności kontynentu od dostaw z zagranicy, ale także przez wzmocnienie jego pozycji na globalnym rynku półprzewodników. Celem UE jest osiągnięcie 20% udziału w globalnej produkcji półprzewodników do 2030 roku, co stawia ten projekt w centrum strategii wzrostu przemysłowego.
Odpowiedź Komisji Europejskiej
Komisja Europejska zatwierdziła dotację rządową w wysokości 2 mld EUR przyznaną przez rząd włoski w ramach programu UE Chips Act, uznając, że pomoc państwa jest kluczowa dla zapewnienia odporności europejskiego łańcucha dostaw półprzewodników. Decyzja ta potwierdza, że inwestycja jest zgodna z celami politycznymi Unii i przyczyni się do wzmocnienia regionalnego sektora półprzewodnikowego.
Przewidywane korzyści dla regionu
Projekt przewiduje nie tylko rozszerzenie możliwości produkcyjnych STMicroelectronics, ale także stworzenie nowych miejsc pracy i przyspieszenie rozwoju regionalnego dzięki zaawansowanym technologiom. W zakładzie nie tylko będą wytwarzane urządzenia i moduły mocy, ale także wykorzystywany on będzie do testowania i pakowania, co ma na celu zoptymalizowanie procesu produkcyjnego oraz zredukowanie kosztów.
Przyszłość STMicroelectronics i sektora półprzewodnikowego
Jean-Marc Chery, prezes i dyrektor generalny STMicroelectronics, podkreślił, że nowa inwestycja umożliwi firmie wprowadzanie innowacji na dużą skalę, korzystając z synergii i zintegrowanych możliwości produkcyjnych, co znacząco przyczyni się do wzmocnienia pozycji STMicroelectronics jako lidera technologii SiC.
– W pełni zintegrowane możliwości odblokowane przez Silicon Carbide Campus w Katanii znacząco przyczynią się do wiodącej pozycji ST w zakresie technologii SiC dla klientów z branży motoryzacyjnej i przemysłowej w kolejnych dekadach. Skala i synergie wynikające z tego projektu umożliwią nam lepsze wprowadzanie innowacji dzięki zdolnościom produkcyjnym na dużą skalę, z korzyścią dla naszych europejskich i globalnych klientów, którzy przechodzą na elektryfikację i poszukują bardziej energooszczędnych rozwiązań, aby osiągnąć swoje cele w zakresie dekarbonizacji – powiedział Jean-Marc Chery.
Zapraszamy na TEK.day Gdańsk, 26 września 2024. Zapisz się już dziś!
